该项工作导致集成电路用的双极晶体管和绝缘栅场效应晶体管的性能和稳定性得到提高。
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unified description about working principle of insulated gate field-effect transistor
绝缘栅场效应管工作原理的统一表述
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阐述了在地铁一号线车辆静止辅助系统中采用高压绝缘栅双极型晶体管(HVIGBT)斩波器替代门极可关断晶闸管(GT0)斩波器,以实现静止辅助系统的国产化。
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当一个电压到绝缘门终端,使电流流动的排水的来源。
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作为应用组合模型原理的实例,文中给出了组合绝缘门根晶体管模型、组合门极可关断晶闸管模型和组合MOSFET控制晶闸管模型,并和实际器件进行比较。
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VSC-HVDC系统是一种基于电压源换流器(VSC)和串联绝缘栅双极晶体管(IGBT)的新型直流输电技术。
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研制出He离子注入局域寿命控制SOI横向绝缘栅双极晶体管(SOI-LIGBT),有效地提高了器件的关断速度,且与集成电路工艺相兼容。
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Demonstration of Insulated Gate Bipolar Transistor ICs with Drive Protection
绝缘栅双极晶体管驱动保护集成电路设计
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该系统采用IGBT(绝缘栅双极型晶体管)器件,PWM(脉宽调制)控制技术。
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近些年,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在现代电力电子技术中应用广泛。
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提出了一种用PSPICE程序模拟绝缘栅双极型晶体管(IGBT)特性的方法。
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本文阐述了MOS系列功率器件的特性、绝缘栅双极型晶体管和集成型功率器件技术,以及它们的应用。
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以MATLAB/Simulink为仿真工具,建立了以IGBT(绝缘栅双极型晶体管)为开关器件的串联型逆变器仿真模型,对提出的定角控制方法进行了仿真验证。
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结合无刷直流电机控制器的设计,提出了基于PSPICE仿真的绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)功率损耗的估算方法。
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运用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)对泵浦氙灯进行斩波放电,并采用间歇式长脉冲斩波技术,设计了一套能发射和控制长脉冲激光的Nd:YAG激光器。
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电源主电路是单电源供电,采用输出功率较大的全桥双逆变结构,比较地选取绝缘栅双极型晶体管IGBT作为主控开关功率转换器件。
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用IGBT(绝缘栅双极性晶体管)和功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)等固态功率开关器件代替氘闸流管开关是脉冲调制器技术的最新发展方向。
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Insulated Gate Bipolar Transistor ( IGBT ) as controllable switch, has been applied widely.
绝缘栅双极二级管 ( IGBT ) 作为一种可控开关, 获得了广泛应用.
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